초크랄스키 공정 (Cz)

초크랄스키 공정(Cz)은 "크리스탈 풀링" 또는 "멜팅 풀링"으로도 알려져 있습니다. 이 과정에서 실리콘(Si)은 먼저 용융된 후 제어를 통해 크리스탈 상태로 동결됩니다. 이 방법의 장점은 빠르고 제어가 용이하다는 것입니다. Cz 공정을 사용한 고순도 단결정 실리콘 결정의 산업 환경은 주로 태양광 및 반도체 산업(집적 회로용 컴퓨터 산업 및 마이크로시스템 기술)을 위해 잘 확립되었습니다. 성장시킨 결정의 높은 효율성과 품질로 비지니스의 경쟁력을 확보할 수 있습니다.

공정

우선, 고순도의 다결정 실리콘을 단결정 인발 시스템의 실리카 도가니에 넣은 후 저항 히터를 이용하여 제어 분위기(Argon)에서 용융시킵니다. 용융물의 온도가 안정되면(용융점 약 1,412°C), 회전하는 단결정 실리콘 시드 결정이 용융물에 침지됩니다. 약간의 온도 강하는 시드 결정에서 실리콘의 결정화를 시작하게 합니다. 시드 결정이 천천히 위로 당겨지면, 시드 결정 위에 매달린 원통형 실리콘 단결정이 형성되기 시작합니다. 실리콘 단결정(시드 결정과 방향 및 구조가 동일)을 일정한 직경으로 끌어당길 수 있도록 인장 속도와 온도를 조절합니다.

애플리케이션

당사의 EKZ 시리즈 시스템은 Cz 공정을 위해 특별히 설계되었으며 고성능 실리콘 단결정의 생산을 가능하게 합니다.

 

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