VPD 측정 장비

반도체 부품의 소형화 및 출력 밀도가 증가함에 따라 출발 재료의 청결성에 대한 요구 사항이 점점 더 높아지고 있습니다. 부품의 효율성을 감소시킬 뿐만 아니라 이물질 요소의 작은 흔적도 사용 수명을 크게 단축시킬 수 있습니다.

PVA TePla의 VPD 시스템을 통해 고객은 최대 1E7 at/cm²의 감지 한계로 웨이퍼의 프로세스 체인 전과 프로세스 중에 이러한 미량 요소를 감지할 수 있습니다. 그 결과 생산 차질을 조기에 파악할 수 있고 불필요한 추가 비용을 피할 수 있습니다. 이는 PVA TePla 시스템이 빠르게 자체 비용을 지불한다는 것을 의미합니다.

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당사의 시스템

  • VPD 기술 (Vapor Phase Decomposition)

    VPD 기술로 기판 재료의 표면이 기체상으로 분해되고 반응 생성물이 배출됩니다. 통상적으로 제거된 물질에 이전에 존재했던 오염은 기체상으로 전이되지 않고 표면에 남게 됩니다.

    다음 단계에서, 유체는 표면에 떨어지며, 그곳에서 남은 불순물을 모읍니다. 불순물의 함량은 예를 들어 ICP-MS 또는 TXRF에 의해 분석될 수 있습니다.

    강점:

    • 모듈 형태 설계
    • 모듈은 개별적으로 사용하거나 크기가 다른 시스템 하우징에서 완전 자동 조합으로 사용할 수 있습니다.
    • ICP-MS가 통합된 분석 시스템으로 설계
  • 모듈 디자인

    모듈 개념은 다양한 응용 프로그램과 모든 공통 웨이퍼 크기를 위한 모듈을 기반으로 합니다. 모듈은 웨이퍼의 배킹 레이어를 식각(PAD Fume), VPD 드롭으로 웨이퍼를 스캔하여 오염물을 수집(PAD Scan)하고 TXRF 분석(PAD Dry)을 위한 스캔 솔루션의 오일을 배출하는 데 사용할 수 있습니다. 후자는 스캔하기 전에 파괴성 화합물 또는 웨이퍼를 배출하기 전에 습기의 흔적을 제거하는 데 사용될 수도 있습니다.

    모듈화의 장점:

    • PAD Fume S를 사용하면 벌크 재료를 HF/오존으로 식각할 수 있습니다.
    • PAD Dry T는 질화층 식각 후 플루오르화 암모늄을 배출하는 데 사용됩니다.
    • PAD Scan B는 웨이퍼의 전면과 후면의 작은 영역을 포함하여 웨이퍼 에지의 식각 및 스캔을 추가로 가능하게 합니다.
    • PAD 스캔 Y를 통해 친수성 표면 스캔 가능
    • PAD 스캔 E는 VPD 드롭에서 원하지 않는 Si 행렬을 줄이는 데 사용됩니다.
  • WSPS (Wafer Surface Preparation System)

    WSPS 시스템은 FFU 유닛이 장착된 소형 시스템 하우징의 프로세스 또는 모듈이 해당 인프라에 의해 보완되는 전체 VPD 프로세스 체인을 매핑합니다.

    간단히 보기:

    • 로드 스테이션, 픽 앤 플레이스 로봇, 중간 저장 장치 및 미디어 제공을 통해 클린룸 조건에서 전체 프로세스 체인의 고도로 자동화된 실행
    • 수행할 작업 및 레시피 정의에서 모든 데이터 수집에 이르기까지 전체 시스템을 중앙에서 제어
    • 제어 및 모니터링을 위한 외부 액세스 가능
  • WSMS (Wafer Surface Measurement System)

    WSMS 시스템은 WSPS 시리즈의 개선을 구성하며 VPD 기술과 WSPS 시리즈의 뛰어난 감지 한계를 완전히 통합한 ICP-MS를 결합합니다.

    간단히 보기:

    • VPD용 화학 물질에서 ICP-MS의 교정까지 모든 매체가 시스템에 의해 자동으로 제공됩니다.
    • 이를 통해 오염 및 작동 오류로 인한 직원 및 제품에 대한 위험을 최소화할 수 있습니다. 
    • 인건비 절감: 중앙 호스트 컴퓨터는 전체 시스템을 제어하고 모든 구성 요소를 원격으로 또는 SECS/GEM을 통해 제어할 수 있으며 실시간으로 결과를 제공합니다.

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